场效应管（FET）的主要参数包括以下几类：

直流参数

IDSS（饱和漏源电流）：在栅极电压UGS=0时，漏极电流的最大值。

UP（夹断电压）：使漏源间刚截止时的栅极电压。

UT（开启电压）：使漏源间刚导通时的栅极电压，仅适用于增强型绝缘栅场效应管（MOSFET）。

gM（跨导）：表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。

RGS（直流输入电阻）：漏源短路时，栅源极之间的直流电阻。

RDS（on）（导通时漏源间的最大阻抗）：在特定的VGS、结温及漏极电流条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。

交流参数

输出电阻：场效应管在特定频率下的输出电阻值。

低频互导：场效应管在低频下的互导值，描述栅源电压对漏极电流的控制作用。

极限参数

BUDS（漏源击穿电压）：在场效应管的漏源电压UDS增大到一定数值时，使漏极电流ID突然增大且不受栅极电压控制时的最大漏源电压。

PDSM（最大耗散功率）：场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。

IDSM（最大漏源电流）：场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。

VGS（最大栅源电压）：场效应管所能承受的最大栅源电压。

Tj（最大工作结温）：场效应管正常工作时所能承受的最高结温，通常为150℃或175℃。

TSTG（存储温度范围）：场效应管在存储时所能承受的温度范围。

其他参数

Cds、 Cdu、 Cgd、 Cgs：分别表示漏-源电容、漏-衬底电容、栅-漏电容和漏-源电容。

Ciss、 Coss、 Crss：分别表示栅短路共源输入电容、栅短路共源输出电容和栅短路共源反向传输电容。

D：占空比，即占空系数，是外电路参数。

di/dt、 dv/dt：分别表示电流上升率和电压上升率，是外电路参数。

ID（on）：通态漏极电流，即在正常导通状态下的漏极电流。

这些参数对于评估场效应管的工作性能、设计电路和确保可靠性至关重要。在实际应用中，应根据具体需求选择合适的参数进行评估和优化。